單晶硅壓力變送器具有響應速度快、精度高、穩定性好等特點而廣受客戶的選用。但單晶硅壓力變送器的傳感器因采用了硅彈性材料的壓阻效應、半導體工藝和MESM加工技術，使得其精度高、靈敏度高的同時也容易受溫度的影響。因傳感器易受溫度的影響，因此在壓力變送器的實際應用時要進行溫度漂移的補償。溫度漂移補償主要分為零點溫度漂移補償和靈敏度溫度漂移補償。

       零點溫度漂移補償是對惠斯頓電橋內四個電阻初始值不匹配造成的零點漂移進行補償，補償方法一般是采用在惠斯頓電橋上進行串并聯電阻的方式進行。零點溫度漂移補償電路圖如圖一所示。其中R1-R4為惠斯頓電橋的四個電阻，串聯電阻Rs為調零電阻，并聯電阻為Rp為補償電阻。兩個電阻通常選擇溫度系數極小的材料制作而成。當硅膜片無形變的時候，由于零點溫度漂移，VOUT 不為零。當溫度升高時，假設R2 增加比較大，將使D點電位低于B點，VBD 即為零點的溫度漂移電壓值。在R2上串一個阻值較大的負溫度系數電阻Rp，使溫度升高時，用于抵消R2 的增加量，從而消除或減小VBD進而達到補償的目的。

       利用此種方法對零點溫度漂移補償最關鍵的是找到溫度系數與惠斯頓電橋電阻溫度系數相反的補償電阻，深圳優威儀表通過稀有材料精密激光切割的形式對補償電阻進行調節，使其硬件補償一致性做到完美匹配，為傳感器的測量精度提供最優保障。

零點溫度漂移補償電路圖